重慶哪家嵌入式培訓班講得好？

重慶哪家嵌入式培訓班講得好?NOR Flash支持XIP，即代碼可以直接在NOR Flash上執(zhí)行，無需拷貝到內(nèi)存中。這是由于NOR Flash的接口與RAM完全相同，可以隨機訪問任意地址的數(shù)據(jù)。在NOR Flash上進行讀操作的效率非常高，但是擦除和寫操作的效率很低;另外，NOR Flash的容量一般比較小。

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NAND Flash進行擦除和寫操作的效率更高，并且容量更大。一般而言，NOR Flash用于存儲程序，NAND Flash用于存儲數(shù)據(jù)?；贜AND Flash的設備通常也要搭配NOR Flash以存儲程序。

Flash存儲器件由擦除單元(也稱為塊)組成，當要寫某個塊時，需要確保這個塊已經(jīng)被擦除。NOR Flash的塊大小范圍為64KB～128KB;NAND Flash的塊大小范圍為8KB～64KB，擦/寫一個NOR Flash塊需4S，而擦/寫一個NAND Flash塊僅需2ms。

NOR Flash的塊太大，不僅增加了擦寫時間，對于給定的寫操作，NOR Flash也需要更多的擦除操作——特別是小文件，比如一個文件只有1KB，但是為了保存它卻需要擦除大小為64KB～128KB的NOR Flash塊。

NOR Flash的接口與RAM完全相同，可以隨意訪問任意地址的數(shù)據(jù)。而NAND Flash的接口僅僅包含幾個I/O引腳，需要串行地訪問。NAND Flash一般以512字節(jié)為單位進行讀寫。這使得NOR Flash適合于運行程序，而NAND Flash更適合于存儲數(shù)據(jù)。

容量相同的情況下，NAND Flash的體積更小，對于空間有嚴格要求的系統(tǒng)，NAND Flash可以節(jié)省更多空間。市場上NOR Flash的容量通常為1~4MB(也有32MB的NOR Flash)，NANDFlash的容量為8~512MB。容量的差別也使得NOR Flash多用于存儲程序，NAND Flash多用于存儲數(shù)據(jù)。

對于Flash存儲器件的可靠性需要考慮3點：位反轉、壞塊和可擦除次數(shù)。所有Flash器件都遭遇位反轉的問題：由于FLASH固有的電器特性，在讀寫數(shù)據(jù)過程中，偶然會產(chǎn)生一位或幾位數(shù)據(jù)錯誤——這種概率很低，而NAND Flash出現(xiàn)的概率遠大于NOR Flash。當位反轉發(fā)生在關鍵的代碼、數(shù)據(jù)上時，有可能導致系統(tǒng)崩潰。

當僅僅是報告位反轉，重新讀取即可;如果確實發(fā)生了位反轉，則必須有相應的錯誤檢測/恢復措施。在NAND Flash上發(fā)生位反轉的概率更高，推薦使用EDC/ECC進行錯誤檢測和恢復。

NAND Flash上面會有壞塊隨機分布，在使用前需要將壞塊掃描出來，確保不再使用它們，否則會使產(chǎn)品含有嚴重的故障。NAND Flash每塊的可擦除次數(shù)通常在100000次左右，是NOR Flash的10倍。另外，因為NAND Flash的塊大小通常是NOR Flash的1/8，所以NAND Flash的壽命遠遠超過NOR Flash。

linux對NOR、NAND Flash的軟件支持都很成熟。在NOR Flash上常用jffs2文件系統(tǒng)，而在NAND Flash上常用yaffs文件系統(tǒng)。在更底層，有MTD驅(qū)動程序?qū)崿F(xiàn)對它們的讀、寫、擦除操作，它也實現(xiàn)了EDC/ECC校驗。

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